南京碳化硅晶圓切割代工廠

針對晶圓切割產生的廢料處理難題，中清航科創(chuàng)新設計了閉環(huán)回收系統(tǒng)。切割過程中產生的硅渣、切割液等廢料，通過管道收集后進行分離處理，硅材料回收率達到 95% 以上，切割液可循環(huán)使用，不僅降低了危廢處理成本，還減少了對環(huán)境的污染，符合半導體產業(yè)的綠色發(fā)展理念。在晶圓切割的精度校準方面，中清航科引入了先進的激光干涉測量技術。設備出廠前，會通過高精度激光干涉儀對所有運動軸進行全行程校準，生成誤差補償表，確保設備在全工作范圍內的定位精度一致。同時提供定期校準服務，配備便攜式校準工具，客戶可自行完成日常精度核查，保證設備長期穩(wěn)定運行。中清航科切割實驗室開放合作，已助力30家企業(yè)工藝升級。南京碳化硅晶圓切割代工廠

中清航科注重與科研機構的合作創(chuàng)新，與國內多所高校共建半導體切割技術聯(lián)合實驗室。圍繞晶圓切割的前沿技術開展研究，如原子層切割、超高頻激光切割等，已申請發(fā)明專利 50 余項，其中 “一種基于飛秒激光的晶圓超精細切割方法” 獲得國家發(fā)明專利金獎，推動行業(yè)技術進步。晶圓切割設備的軟件系統(tǒng)是其智能化的中心，中清航科自主開發(fā)了切割控制軟件，具備友好的人機交互界面與強大的功能。支持多種格式的晶圓版圖文件導入，可自動生成切割路徑，同時提供離線編程功能，可在不影響設備運行的情況下完成新程序的編制與模擬，提高設備利用率。舟山碳化硅線晶圓切割刀片中清航科推出切割工藝保險服務，承保因切割導致的晶圓損失。

在晶圓切割的質量檢測方面，中清航科引入了三維形貌檢測技術。通過高分辨率 confocal 顯微鏡對切割面進行三維掃描，生成精確的表面粗糙度與輪廓數(shù)據，粗糙度測量精度可達 0.1nm，為工藝優(yōu)化提供量化依據。該檢測結果可直接與客戶的質量系統(tǒng)對接，實現(xiàn)數(shù)據的無縫流轉。針對晶圓切割過程中的熱變形問題，中清航科開發(fā)了恒溫控制切割艙。通過高精度溫度傳感器與 PID 溫控系統(tǒng)，將切割艙內的溫度波動控制在 ±0.1℃以內，同時采用熱誤差補償算法，實時修正溫度變化引起的機械變形，確保在不同環(huán)境溫度下的切割精度穩(wěn)定一致。

晶圓切割是半導體封裝的中心環(huán)節(jié)，傳統(tǒng)刀片切割通過金剛石砂輪實現(xiàn)材料分離。中清航科研發(fā)的超薄刀片（厚度15-20μm）結合主動冷卻系統(tǒng)，將切割道寬度壓縮至30μm以內，崩邊控制在5μm以下。我們的高剛性主軸技術可適配8/12英寸晶圓，切割速度提升40%，為LED、MEMS器件提供經濟高效的解決方案。針對超薄晶圓（<50μm）易碎裂難題，中清航科激光隱形切割系統(tǒng)采用紅外脈沖激光在晶圓內部形成改性層，通過擴張膜實現(xiàn)無應力分離。該技術消除機械切割導致的微裂紋，良率提升至99.3%，尤其適用于存儲芯片、CIS等器件，助力客戶降低材料損耗成本。晶圓切割應急服務中清航科24小時響應，備件儲備超2000種。

晶圓切割的工藝參數(shù)設置需要豐富的經驗積累，中清航科開發(fā)的智能工藝推薦系統(tǒng)，基于千萬級切割數(shù)據訓練而成。只需輸入晶圓材料、厚度、切割道寬等基本參數(shù)，系統(tǒng)就能自動生成比較好的切割方案，包括激光功率、切割速度、聚焦位置等關鍵參數(shù)，新手操作人員也能快速達到工程師的工藝水平，大幅降低技術門檻。半導體產業(yè)對設備的占地面積有著嚴格要求，中清航科采用緊湊型設計理念，將晶圓切割設備的占地面積控制在 2 平方米以內，較傳統(tǒng)設備減少 40%。在有限空間內，通過巧妙的結構布局實現(xiàn)全部功能集成，同時預留擴展接口，方便后續(xù)根據產能需求增加模塊，滿足不同規(guī)模生產車間的布局需求。針對柔性晶圓，中清航科開發(fā)低溫切割工藝避免材料變性。宿遷碳化硅線晶圓切割

采用中清航科激光隱形切割技術，晶圓分片效率提升40%以上。南京碳化硅晶圓切割代工廠

針對晶圓切割后的表面清潔度要求，中清航科在設備中集成了在線等離子清洗模塊。切割完成后立即對晶圓表面進行等離子處理，去除殘留的切割碎屑與有機污染物，清潔度達到 Class 10 標準。該模塊可與切割流程無縫銜接，減少晶圓轉移過程中的二次污染風險。中清航科注重晶圓切割設備的人性化設計，操作界面采用直觀的圖形化布局，支持多語言切換與自定義快捷鍵設置。設備配備可調節(jié)高度的操作面板與符合人體工學的扶手設計，減少操作人員長時間工作的疲勞感，同時提供聲光報警與故障提示，使操作更便捷高效。南京碳化硅晶圓切割代工廠