靜安區(qū)電子元器件哪家好

     1906年美國(guó)人德福雷斯特發(fā)明真空三極管，用來放大電話的聲音電流。此后，人們強(qiáng)烈地期待著能夠誕生一種固體器件，用來作為質(zhì)量輕、價(jià)廉和壽命長(zhǎng)的放大器和電子開關(guān)。1947年，點(diǎn)接觸型鍺晶體管的誕生，在電子器件的發(fā)展史上翻開了新的一頁。但是，這種點(diǎn)接觸型晶體管在構(gòu)造上存在著接觸點(diǎn)不穩(wěn)定的致命弱點(diǎn)。在點(diǎn)接觸型晶體管開發(fā)成功的同時(shí)，結(jié)型晶體管論就已經(jīng)提出，但是直至人們能夠制備超高純度的單晶以及能夠任意控制晶體的導(dǎo)電類型以后，結(jié)型晶體管材真正得以出現(xiàn)。1950年，具有使用價(jià)值的**早的鍺合金型晶體管誕生。無錫微原科技，推動(dòng)電子元器件向微型化邁進(jìn)。靜安區(qū)電子元器件哪家好

2002年OFC展覽會(huì)上有十多家自動(dòng)封裝、自動(dòng)熔接設(shè)備廠商參展，熔接、對(duì)準(zhǔn)、壓焊等許多認(rèn)為只能由人工操作的工藝都能由機(jī)械手進(jìn)行。據(jù)ElectroniCast預(yù)測(cè)，到2005年自動(dòng)化組裝與測(cè)試設(shè)備的銷量將達(dá)17.1億美元，光電子器件產(chǎn)值中的70%~80%將由全自動(dòng)或半自動(dòng)化組裝生產(chǎn), 可以說自動(dòng)化生產(chǎn)線的出現(xiàn)是光電子行業(yè)開始走向成熟的標(biāo)志和發(fā)展的必然。光電器件下一代光傳送網(wǎng)的基本特征是超大容量，從各種復(fù)用技術(shù)的發(fā)展?fàn)顩r看，密集波分復(fù)用（DWDM）被認(rèn)為是擴(kuò)大網(wǎng)絡(luò)容量和提高其靈活性的***途徑。采用DWDM可以使容量迅速地?cái)U(kuò)大數(shù)十倍至數(shù)百倍。由于市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)和技術(shù)突破的影響，波分復(fù)用系統(tǒng)發(fā)展極為迅速。因此各種新研制的光器件也都或多或少與波分復(fù)用有關(guān)。DWDM的發(fā)展思路一直是追求更高的頻譜效率，一方面提高每個(gè)通道的速率，另一方面增加通道密度。普陀區(qū)應(yīng)用電子元器件無錫微原科技，打造環(huán)保節(jié)能的電子元器件產(chǎn)品。

電容

1、電容在電路中一般用“C”加數(shù)字表示(如C13表示編號(hào)為13的電容)。電容是由兩片金屬膜緊靠，中間用絕緣材料隔開而組成的元件。電容的特性主要是隔直流通交流。電容容量的大小就是表示能貯存電能的大小，電容對(duì)交流信號(hào)的阻礙作用稱為容抗，它與交流信號(hào)的頻率和電容量有關(guān)。容抗XC=1/2πfc(f表示交流信號(hào)的頻率，C表示電容容量)電話機(jī)中常用電容的種類有電解電容、瓷片電容、貼片電容、獨(dú)石電容、鉭電容和滌綸電容等。

2、識(shí)別方法：電容的識(shí)別方法與電阻的識(shí)別方法基本相同，分直標(biāo)法、色標(biāo)法和數(shù)標(biāo)法3種。電容的基本單位用法拉(F)表示，其它單位還有：毫法(mF)、微法(uF)、納法(nF)、皮法(pF)。

電源變壓器的檢測(cè)A 通過觀察變壓器的外貌來檢查其是否有明顯異?，F(xiàn)象。如線圈引線是否斷裂，脫焊，絕緣材料是否有燒焦痕跡，鐵心緊固螺桿是否有松動(dòng)，硅鋼片有無銹蝕，繞組線圈是否有外露等。B 絕緣性測(cè)試。用萬用表R×10k擋分別測(cè)量鐵心與初級(jí)，初級(jí)與各次級(jí)、鐵心與各次級(jí)、靜電屏蔽層與衩次級(jí)、次級(jí)各繞組間的電阻值，萬用表指針均應(yīng)指在無窮大位置不動(dòng)。否則，說明變壓器絕緣性能不良。C 線圈通斷的檢測(cè)。將萬用表置于R×1擋，測(cè)試中，若某個(gè)繞組的電阻值為無窮大，則說明此繞組有斷路性故障。D 判別初、次級(jí)線圈。電源變壓器初級(jí)引腳和次級(jí)引腳一般都是分別從兩側(cè)引出的，并且初級(jí)繞組多標(biāo)有220V字樣，次級(jí)繞組則標(biāo)出額定電壓值，如15V、24V、35V等。再根據(jù)這些標(biāo)記進(jìn)行識(shí)別。無錫微原電子科技，電子元器件助力智能家電升級(jí)。

1954年，結(jié)型硅晶體管誕生。此后，人們提出了場(chǎng)效應(yīng)晶體管的構(gòu)想。隨著無缺陷結(jié)晶和缺陷控制等材料技術(shù)、晶體外誕生長(zhǎng)技術(shù)和擴(kuò)散摻雜技術(shù)、耐壓氧化膜的制備技術(shù)、腐蝕和光刻技術(shù)的出現(xiàn)和發(fā)展，各種性能優(yōu)良的電子器件相繼出現(xiàn)，電子元器件逐步從真空管時(shí)代進(jìn)入晶體管時(shí)代和大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路時(shí)代。逐步形成作為高技術(shù)產(chǎn)業(yè)**的半導(dǎo)體工業(yè)。由于社會(huì)發(fā)展的需要，電子裝置變的越來越復(fù)雜，這就要求了電子裝置必須具有可靠性、速度快、消耗功率小以及質(zhì)量輕、小型化、成本低等特點(diǎn)。半導(dǎo)體工業(yè)和半導(dǎo)體技術(shù)被稱為現(xiàn)代工業(yè)的基礎(chǔ)，同時(shí)也已經(jīng)發(fā)展稱為一個(gè)相對(duì)的高科技產(chǎn)業(yè)?；窗策M(jìn)口電子元器件

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檢測(cè)電位器的活動(dòng)臂與電阻片的接觸是否良好。用萬用表的歐姆檔測(cè)“1”、“2”(或“2”、“3”)兩端，將電位器的轉(zhuǎn)軸按逆時(shí)針方向旋至接近“關(guān)”的位置，這時(shí)電阻值越小越好。再順時(shí)針慢慢旋轉(zhuǎn)軸柄，電阻值應(yīng)逐漸增大，表頭中的指針應(yīng)平穩(wěn)移動(dòng)。當(dāng)軸柄旋至極端位置“3”時(shí)，阻值應(yīng)接近電位器的標(biāo)稱值。如萬用表的指針在電位器的軸柄轉(zhuǎn)動(dòng)過程中有跳動(dòng)現(xiàn)象，說明活動(dòng)觸點(diǎn)有接觸不良的故障。5 正溫度系數(shù)熱敏電阻(PTC)的檢測(cè)。檢測(cè)時(shí)，用萬用表R×1擋，具體可分兩步操作：A 常溫檢測(cè)(室內(nèi)溫度接近25℃)；將兩表筆接觸PTC熱敏電阻的兩引腳測(cè)出其實(shí)際阻值，并與標(biāo)稱阻值相對(duì)比，二者相差在±2Ω內(nèi)即為正常。實(shí)際阻值若與標(biāo)稱阻值相差過大，則說明其性能不良或已損壞。靜安區(qū)電子元器件哪家好

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