SiC材料的突破性特質(zhì)與產(chǎn)業(yè)價值：極高的臨界擊穿電場（~2-3 MV/cm）： SiC的臨界擊穿電場強度約是硅的10倍。這一特性允許在相同電壓等級下，SiC器件的漂移區(qū)可以設計得更薄、摻雜濃度更高，從而明顯降低器件的導通電阻，帶來更低的導通損耗。優(yōu)異的電子飽和...

當前面臨的中心挑戰(zhàn)：硅基材料的物理極限： 硅材料的特性限制了器件性能的進一步提升空間，特別是在超高壓、超高頻、超高溫應用領域。損耗平衡的持續(xù)優(yōu)化： 導通損耗（Econ）與開關損耗（Esw）之間存在此消彼長的關系，如何在更高工作頻率下實現(xiàn)兩者的比較好平衡是永恒課...

低壓MOS管：結構與基礎原理MOSFET的中心結構由源極（Source）、柵極（Gate）、漏極（Drain）和位于柵極下方的溝道區(qū)構成。其開關邏輯簡潔而高效：導通狀態(tài)：當柵極施加足夠正向電壓（Vgs>Vth，閾值電壓），溝道區(qū)形成導電通路，電流（Ids）得以...

應用方案支持：公司不僅提供器件，更注重理解客戶需求，針對開關電源、電機驅(qū)動、電池保護等具體應用場景，提供相應的技術參考設計和應用支持，幫助客戶縮短開發(fā)周期，優(yōu)化系統(tǒng)性能。品質(zhì)保障體系：建立完善的質(zhì)量管理與可靠性驗證體系，確保產(chǎn)品在性能、壽命和一致性上滿足工業(yè)級...

低壓MOS管技術演進趨勢為應對不斷提升的效率、功率密度和可靠性要求，低壓MOS管技術持續(xù)迭代：工藝精進：更先進的光刻技術（如深亞微米）、溝槽柵（Trench）和屏蔽柵（SGT）結構不斷刷新Rds(on)與Qg的極限。SGT結構尤其在高頻、大電流應用中表現(xiàn)突出。...

技術基石：功率器件的多樣形態(tài)與應用邏輯功率器件的世界豐富多樣，每種類型都因其獨特的物理結構和開關特性，在電能轉換鏈條中扮演著不可替代的角色：功率MOSFET：以其比較好的開關速度（高頻特性）和相對較低的導通損耗見長，是低壓至中壓、高頻應用場景（如開關電源、電機...

江東東海半導體：專注創(chuàng)新，服務市場面對全球范圍內(nèi)對更高能效、更小體積、更強可靠性的持續(xù)追求，江東東海半導體將研發(fā)創(chuàng)新視為發(fā)展的根本動力：深耕硅基技術：持續(xù)優(yōu)化成熟硅基功率MOSFET和IGBT器件的性能，包括降低導通電阻（Rds(on)/Vce(sat)）、提...

先進芯片設計與工藝：器件結構創(chuàng)新： 持續(xù)優(yōu)化MOSFET溝槽/平面柵結構、終端保護結構、元胞設計等，平衡導通電阻、開關特性、柵氧可靠性及短路耐受能力等關鍵參數(shù)。關鍵工藝突破： 攻克高溫離子注入、高能活躍退火、低損傷刻蝕、高質(zhì)量柵氧生長與界面態(tài)控制、低阻歐姆接觸...

從智能手機的快充到數(shù)據(jù)中心的高效供電，從電動工具的強勁動力到新能源車的中心電控，低壓MOS管都在默默發(fā)揮著不可或缺的作用。隨著工藝、封裝與設計技術的不斷精進，低壓MOS管將在效率提升、功率密度增加、系統(tǒng)智能化方面持續(xù)突破極限。江東東海半導體等企業(yè)在該領域的深耕...

IGBT：原理、結構及其關鍵特性IGBT的不錯性能源于其獨特的結構設計，它巧妙融合了MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）與BJT（雙極型晶體管）的技術優(yōu)勢。其基本結構包含：MOS柵極結構：提供電壓控制能力，驅(qū)動功率需求低，易于實現(xiàn)高速開關控制。雙極導電...

功率器件：賦能現(xiàn)代工業(yè)的隱形基石 在工業(yè)自動化的脈動、新能源汽車的疾馳、家用電器無聲運轉的背后，一種關鍵半導體元件——功率器件——正默默承擔著電能高效轉換與精密控制的重任。作為江東東海半導體股份有限公司深耕的關鍵領域，功率器件技術的發(fā)展深刻影響著能源利用效率的...

材料探索： 盡管硅基（Si）技術仍是低壓MOS管的主流，寬禁帶半導體（如GaN）在超高頻、超高效率應用中對硅基MOS管形成挑戰(zhàn)。硅基技術通過持續(xù)優(yōu)化（如超級結技術向低壓延伸、超薄晶圓工藝）鞏固其在成本、成熟度、可靠性與大電流領域的地位。未來將是Si與GaN根據(jù)...

從智能手機的快充到數(shù)據(jù)中心的高效供電，從電動工具的強勁動力到新能源車的中心電控，低壓MOS管都在默默發(fā)揮著不可或缺的作用。隨著工藝、封裝與設計技術的不斷精進，低壓MOS管將在效率提升、功率密度增加、系統(tǒng)智能化方面持續(xù)突破極限。江東東海半導體等企業(yè)在該領域的深耕...

SiC材料的突破性特質(zhì)與產(chǎn)業(yè)價值SiC材料之所以在功率半導體領域引發(fā)高度關注，源于其與生俱來的比較好物理屬性：超寬禁帶寬度（~3.3eV）：SiC的禁帶寬度遠超硅材料（~1.1eV）。這一特性賦予SiC器件在極高電場下穩(wěn)定工作的能力，阻斷電壓可輕松突破千伏乃至...

低壓MOS管技術演進趨勢為應對不斷提升的效率、功率密度和可靠性要求，低壓MOS管技術持續(xù)迭代：工藝精進：更先進的光刻技術（如深亞微米）、溝槽柵（Trench）和屏蔽柵（SGT）結構不斷刷新Rds(on)與Qg的極限。SGT結構尤其在高頻、大電流應用中表現(xiàn)突出。...

軌道交通與智能電網(wǎng)：SiC器件在高壓大功率場景下優(yōu)勢突出。在機車牽引變流器、輔助供電系統(tǒng)中，可提升效率、減輕重量、增加有效載荷。在固態(tài)變壓器（SST）、柔性的交流輸電（FACTS）裝置等智能電網(wǎng)設備中，SiC是實現(xiàn)高頻高效電能轉換、提升電網(wǎng)靈活性與穩(wěn)定性的理想...

功率半導體分立器件的基石：中低壓MOS管的技術演進與應用解析在電力電子系統(tǒng)的精密架構中，**率MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）如同不可或缺的“電子開關”，其性能直接影響著能量轉換的效能與可靠性。其中，工作電壓范圍在100V以下的低壓MOS管，憑借其...

SiC技術賦能千行百業(yè)SiC功率器件的比較好性能正在多個關鍵領域引發(fā)改變性變化：新能源汽車：SiC技術是提升電動車能效與續(xù)航里程的關鍵。在主驅(qū)動逆變器中應用SiC模塊，可比較好降低開關損耗和導通損耗，提升系統(tǒng)效率（5-10%），同等電池容量下延長續(xù)航里程，并允...

江東東海半導體：深耕功率，驅(qū)動創(chuàng)新江東東海半導體股份有限公司立足中國功率半導體產(chǎn)業(yè)前沿，深刻理解高效能源轉換對于國家戰(zhàn)略與產(chǎn)業(yè)升級的支撐作用。公司持續(xù)投入資源，專注于：技術深耕：在硅基MOSFET、IGBT等成熟領域不斷優(yōu)化產(chǎn)品性能與成本，提升可靠性。前瞻布局...

設計低壓MOS管是一個精密的權衡過程：追求很好的的Rds(on)可能需要更大的芯片面積（增加成本）或更高的Qg（影響開關性能）；優(yōu)化開關速度可能需要特殊工藝或結構，可能影響可靠性或成本。很好的器件設計是在目標應用場景下尋求各項參數(shù)的比較好平衡點。負載開關與電源...

強化制造與品控： 擁有先進的功率半導體芯片制造產(chǎn)線和現(xiàn)代化的模塊封裝測試工廠。嚴格實施全過程質(zhì)量控制體系，從原材料篩選、晶圓制造、芯片測試到封裝老化篩選，層層把關，確保交付給客戶的每一顆器件都具備穩(wěn)定的性能和長久的使用壽命。聚焦關鍵應用：綠色能源： 為光伏逆變...

低壓MOS管：結構與基礎原理MOSFET的中心結構由源極（Source）、柵極（Gate）、漏極（Drain）和位于柵極下方的溝道區(qū)構成。其開關邏輯簡潔而高效：導通狀態(tài)：當柵極施加足夠正向電壓（Vgs>Vth，閾值電壓），溝道區(qū)形成導電通路，電流（Ids）得以...

功率器件領域的基石：IGBT技術解析與江東東海半導體的創(chuàng)新實踐在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的中心地帶，一種名為絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的半導體器件正悄然驅(qū)動著能源轉換的變化。從新能源汽車的疾馳到工業(yè)電機的精細運轉，從高鐵網(wǎng)絡的延伸至可再生能源的高效并網(wǎng)，IGBT作...

功率半導體新紀元：江東東海半導體帶領SiC技術變革在全球能源轉型與電氣化浪潮的推動下，功率半導體產(chǎn)業(yè)正經(jīng)歷深刻變革。以碳化硅（SiC）為表示的第三代半導體材料，憑借其超越傳統(tǒng)硅基器件的優(yōu)異物理特性，正成為提升能源轉換效率、實現(xiàn)系統(tǒng)小型化輕量化的關鍵引擎。江東東...

面向未來的承諾能源效率的提升永無止境。隨著5G、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)中心的蓬勃發(fā)展，以及全球“雙碳”目標的深入推進，對高效、高功率密度、高可靠功率器件的需求將持續(xù)增長。寬禁帶半導體技術的成熟與成本下降，將進一步加速其在眾多領域的滲透，重塑功率電子的格局。江...

功率器件：賦能現(xiàn)代工業(yè)的隱形基石 在工業(yè)自動化的脈動、新能源汽車的疾馳、家用電器無聲運轉的背后，一種關鍵半導體元件——功率器件——正默默承擔著電能高效轉換與精密控制的重任。作為江東東海半導體股份有限公司深耕的關鍵領域，功率器件技術的發(fā)展深刻影響著能源利用效率的...

江東東海半導體：深耕低壓MOS領域江東東海半導體股份有限公司，作為國內(nèi)功率半導體領域的重要力量，長期致力于功率器件特別是低壓MOSFET的研發(fā)、制造與技術服務。產(chǎn)品覆蓋大量：公司提供豐富多樣的低壓MOSFET產(chǎn)品系列，涵蓋20V至100V電壓范圍，滿足從數(shù)安培...

廣闊天地：IGBT的關鍵應用領域IGBT作為現(xiàn)代電力電子的“CPU”，其應用已滲透至國民經(jīng)濟的中心領域：新能源汽車：電動車的“心臟”所在。IGBT模塊是電機控制器（逆變器）的中心開關器件，將電池直流電轉換為驅(qū)動電機的高效三相交流電，其效率直接決定車輛的續(xù)航里程...

封裝與可靠性：先進封裝技術： 應用銀燒結（Die Attach）、銅線鍵合/鋁帶鍵合（Wire/Ribbon Bonding）、AMB陶瓷基板、雙面散熱（DSC）、塑封等先進封裝材料和工藝，提升模塊的功率循環(huán)能力、溫度循環(huán)能力及使用壽命。嚴格可靠性驗證： 建立...

先進芯片設計與工藝：器件結構創(chuàng)新： 持續(xù)優(yōu)化MOSFET溝槽/平面柵結構、終端保護結構、元胞設計等，平衡導通電阻、開關特性、柵氧可靠性及短路耐受能力等關鍵參數(shù)。關鍵工藝突破： 攻克高溫離子注入、高能活躍退火、低損傷刻蝕、高質(zhì)量柵氧生長與界面態(tài)控制、低阻歐姆接觸...