半導(dǎo)體失效分析微光顯微鏡設(shè)備

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-07-16

光束誘導(dǎo)電阻變化(OBIRCH)功能與微光顯微鏡(EMMI)技術(shù)常被集成于同一檢測(cè)系統(tǒng),合稱為光發(fā)射顯微鏡(PEM,PhotoEmissionMicroscope)。


二者在原理與應(yīng)用上形成巧妙互補(bǔ),能夠協(xié)同應(yīng)對(duì)集成電路中絕大多數(shù)失效模式,大幅提升失效分析的全面性與效率。OBIRCH技術(shù)的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)在于,即便失效點(diǎn)被金屬層覆蓋形成“熱點(diǎn)”,其仍能通過(guò)光束照射引發(fā)的電阻變化特性實(shí)現(xiàn)精細(xì)檢測(cè)——這恰好彌補(bǔ)了EMMI在金屬遮擋區(qū)域光信號(hào)捕捉受限的不足。


處理 ESD 閉鎖效應(yīng)時(shí),微光顯微鏡檢測(cè)光子可判斷其位置和程度,為研究機(jī)制、制定防護(hù)措施提供支持。半導(dǎo)體失效分析微光顯微鏡設(shè)備

半導(dǎo)體失效分析微光顯微鏡設(shè)備,微光顯微鏡

在微光顯微鏡(EMMI) 操作過(guò)程中,當(dāng)對(duì)樣品施加合適的電壓時(shí),其失效點(diǎn)會(huì)由于載流子加速散射或電子-空穴對(duì)復(fù)合效應(yīng)而發(fā)射特定波長(zhǎng)的光子。這些光子經(jīng)過(guò)采集和圖像處理后,可以形成一張信號(hào)圖。隨后,取消施加在樣品上的電壓,在未供電的狀態(tài)下采集一張背景圖。再通過(guò)將信號(hào)圖與背景圖進(jìn)行疊加處理,就可以精確地定位發(fā)光點(diǎn)的位置,實(shí)現(xiàn)對(duì)失效點(diǎn)的精確定位。進(jìn)一步地,為了提升定位的準(zhǔn)確性,可采用多種圖像處理技術(shù)進(jìn)行優(yōu)化。例如,通過(guò)濾波算法去除背景噪聲,增強(qiáng)信號(hào)圖的信噪比;利用邊緣檢測(cè)技術(shù),突出顯示發(fā)光點(diǎn)的邊緣特征,從而提高定位精度。顯微微光顯微鏡廠家我司自研含微光顯微鏡等設(shè)備,獲多所高校、科研院所及企業(yè)認(rèn)可使用,性能佳,廣受贊譽(yù)。

半導(dǎo)體失效分析微光顯微鏡設(shè)備,微光顯微鏡

RTTLIT E20 微光顯微分析系統(tǒng)(EMMI)是專為半導(dǎo)體器件漏電缺陷檢測(cè)量身打造的高精度檢測(cè)設(shè)備,其系統(tǒng)搭載 -80℃制冷型 InGaAs 探測(cè)器與高分辨率顯微物鏡 ,構(gòu)建起超高靈敏度檢測(cè)體系 —— 可準(zhǔn)確捕捉器件在微弱漏電流下產(chǎn)生的極微弱微光信號(hào),實(shí)現(xiàn)納米級(jí)缺陷的可視化成像。通過(guò)超高靈敏度成像技術(shù),設(shè)備能快速定位漏電缺陷并完成深度分析,為工程師提供直觀的缺陷數(shù)據(jù)支撐,助力優(yōu)化生產(chǎn)工藝、提升產(chǎn)品可靠性。從芯片研發(fā)到量產(chǎn)質(zhì)控,RTTLIT E20 以穩(wěn)定可靠的性能,為半導(dǎo)體器件全生命周期的質(zhì)量保障提供科學(xué)解決方案,是半導(dǎo)體行業(yè)提升良率的關(guān)鍵檢測(cè)利器。

定位短路故障點(diǎn)短路是造成芯片失效的關(guān)鍵誘因之一。

當(dāng)芯片內(nèi)部電路發(fā)生短路時(shí),短路區(qū)域會(huì)形成異常電流通路,引發(fā)局部溫度驟升,并伴隨特定波長(zhǎng)的光發(fā)射現(xiàn)象。EMMI(微光顯微鏡)憑借其超高靈敏度,能夠捕捉這些由短路產(chǎn)生的微弱光信號(hào),再通過(guò)對(duì)光信號(hào)的強(qiáng)度分布、空間位置等特征進(jìn)行綜合分析,可實(shí)現(xiàn)對(duì)短路故障點(diǎn)的精確定位。

以一款高性能微處理器芯片為例,其在測(cè)試中出現(xiàn)不明原因的功耗激增問(wèn)題,技術(shù)人員初步判斷為內(nèi)部電路存在短路隱患。通過(guò)EMMI對(duì)芯片進(jìn)行全域掃描檢測(cè),在極短時(shí)間內(nèi)便在芯片的某一特定功能模塊區(qū)域發(fā)現(xiàn)了光發(fā)射信號(hào)。結(jié)合該芯片的電路設(shè)計(jì)圖紙和版圖信息進(jìn)行深入分析,終鎖定故障點(diǎn)為兩條相鄰的鋁金屬布線之間因絕緣層破損而發(fā)生的短路。這一定位為后續(xù)的故障修復(fù)和工藝改進(jìn)提供了直接依據(jù)。 為提升微光顯微鏡探測(cè)力,我司多種光學(xué)物鏡可選,用戶可依樣品工藝與結(jié)構(gòu)選裝,滿足不同微光探測(cè)需求。

半導(dǎo)體失效分析微光顯微鏡設(shè)備,微光顯微鏡

相較于傳統(tǒng)微光顯微鏡,InGaAs(銦鎵砷)微光顯微鏡在檢測(cè)先進(jìn)制程組件微小尺寸組件的缺陷方面具有更高的適用性。其原因在于,較小尺寸的組件通常需要較低的操作電壓,這導(dǎo)致熱載子激發(fā)的光波長(zhǎng)增長(zhǎng)。InGaAs微光顯微鏡特別適合于檢測(cè)先進(jìn)制程產(chǎn)品中的亮點(diǎn)和熱點(diǎn)(HotSpot)定位。InGaAs微光顯微鏡與傳統(tǒng)EMMI在應(yīng)用上具有相似性,但I(xiàn)nGaAs微光顯微鏡在以下方面展現(xiàn)出優(yōu)勢(shì):

1.偵測(cè)到缺陷所需時(shí)間為傳統(tǒng)EMMI的1/5~1/10;

2.能夠偵測(cè)到微弱電流及先進(jìn)制程中的缺陷;

3.能夠偵測(cè)到較輕微的MetalBridge缺陷;

4.針對(duì)芯片背面(Back-Side)的定位分析中,紅外光對(duì)硅基板具有較高的穿透率。 針對(duì)納米級(jí)半導(dǎo)體器件,搭配超高倍物鏡,能分辨納米尺度的缺陷發(fā)光,推動(dòng)納米電子學(xué)研究。顯微微光顯微鏡廠家

微光顯微鏡搭配高分辨率鏡頭,可將微小缺陷放大至清晰可見(jiàn),讓檢測(cè)更易觀察分析,提升檢測(cè)的準(zhǔn)確度。半導(dǎo)體失效分析微光顯微鏡設(shè)備

致晟光電作為蘇州本土的光電檢測(cè)設(shè)備研發(fā)制造企業(yè),其本地化服務(wù)目前以國(guó)內(nèi)市場(chǎng)為主要覆蓋區(qū)域 。尤其在華東地區(qū),依托總部蘇州的地理優(yōu)勢(shì),對(duì)上海、江蘇、浙江等周邊省市實(shí)現(xiàn)高效服務(wù)。無(wú)論是設(shè)備的安裝調(diào)試,還是售后的故障維修、技術(shù)咨詢,都能在短時(shí)間內(nèi)響應(yīng),例如在蘇州本地,接到客戶需求后,普遍可在數(shù)小時(shí)內(nèi)安排技術(shù)人員上門服務(wù)。在全國(guó)范圍內(nèi),致晟光電已通過(guò)建立銷售服務(wù)網(wǎng)點(diǎn)、與當(dāng)?shù)亟?jīng)銷商合作等方式,保障本地化服務(wù)的覆蓋。
半導(dǎo)體失效分析微光顯微鏡設(shè)備

蘇州致晟光電科技有限公司匯集了大量的優(yōu)秀人才,集企業(yè)奇思,創(chuàng)經(jīng)濟(jì)奇跡,一群有夢(mèng)想有朝氣的團(tuán)隊(duì)不斷在前進(jìn)的道路上開(kāi)創(chuàng)新天地,繪畫新藍(lán)圖,在江蘇省等地區(qū)的機(jī)械及行業(yè)設(shè)備中始終保持良好的信譽(yù),信奉著“爭(zhēng)取每一個(gè)客戶不容易,失去每一個(gè)用戶很簡(jiǎn)單”的理念,市場(chǎng)是企業(yè)的方向,質(zhì)量是企業(yè)的生命,在公司有效方針的領(lǐng)導(dǎo)下,全體上下,團(tuán)結(jié)一致,共同進(jìn)退,齊心協(xié)力把各方面工作做得更好,努力開(kāi)創(chuàng)工作的新局面,公司的新高度,未來(lái)蘇州致晟光電科技供應(yīng)和您一起奔向更美好的未來(lái),即使現(xiàn)在有一點(diǎn)小小的成績(jī),也不足以驕傲,過(guò)去的種種都已成為昨日我們只有總結(jié)經(jīng)驗(yàn),才能繼續(xù)上路,讓我們一起點(diǎn)燃新的希望,放飛新的夢(mèng)想!