微光顯微鏡技術(shù)特性差異
探測(cè)靈敏度方向:EMMI 追求對(duì)微弱光子的高靈敏度(可檢測(cè)單光子級(jí)別信號(hào)),需配合暗場(chǎng)環(huán)境減少干擾;熱紅外顯微鏡則強(qiáng)調(diào)溫度分辨率(部分設(shè)備可達(dá) 0.01℃),需抑制環(huán)境熱噪聲。
空間分辨率:EMMI 的分辨率受光學(xué)系統(tǒng)和光子波長(zhǎng)限制,通常在微米級(jí);熱紅外顯微鏡的分辨率與紅外波長(zhǎng)、鏡頭數(shù)值孔徑相關(guān),一般略低于 EMMI,但更注重大面積熱分布的快速成像。
樣品處理要求:EMMI 對(duì)部分遮蔽性失效(如金屬下方漏電)需采用背面觀(guān)測(cè)模式,可能需要減薄、拋光樣品;
處理要求:熱紅外顯微鏡可透過(guò)封裝材料(如陶瓷、塑料)探測(cè),對(duì)樣品破壞性較小,更適合非侵入式初步篩查。 我司微光顯微鏡能檢測(cè)內(nèi)部缺陷,通過(guò)分析光子發(fā)射評(píng)估性能,為研發(fā)、生產(chǎn)和質(zhì)量控制提供支持。IC微光顯微鏡廠(chǎng)家
隨著器件尺寸的逐漸變小,MOS器件的溝道長(zhǎng)度也逐漸變短。短溝道效應(yīng)也愈發(fā)嚴(yán)重。短溝道效應(yīng)會(huì)使得MOS管的漏結(jié)存在一個(gè)強(qiáng)電場(chǎng),該電場(chǎng)會(huì)對(duì)載流子進(jìn)行加速,同時(shí)賦予載流子一個(gè)動(dòng)能,該載流子會(huì)造成中性的Si原子被極化,產(chǎn)生同樣帶有能量的電子與空穴對(duì),這種電子與空穴被稱(chēng)為熱載流子,反映在能帶圖中就是電位更高的電子和電位更低的空穴。一部分熱載流子會(huì)在生成后立馬復(fù)合,產(chǎn)生波長(zhǎng)更短的熒光,另一部分在電場(chǎng)的作用下分離。電子進(jìn)入柵氧層,影響閾值電壓,空穴進(jìn)入襯底,產(chǎn)生襯底電流。歸因于短溝道效應(yīng)能在MOS管的漏端能看到亮點(diǎn),同樣在反偏PN結(jié)處也能產(chǎn)生強(qiáng)場(chǎng),也能觀(guān)察到亮點(diǎn)。半導(dǎo)體失效分析微光顯微鏡規(guī)格尺寸電路驗(yàn)證中出現(xiàn)閂鎖效應(yīng)及漏電,微光顯微鏡可定位位置,為電路設(shè)計(jì)優(yōu)化提供依據(jù),保障系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行。
EMMI 微光顯微鏡作為集成電路失效分析的重要設(shè)備,其漏電定位功能對(duì)于失效分析工程師而言是不可或缺的工具。在集成電路領(lǐng)域,對(duì)芯片的可靠性有著極高的要求。在芯片運(yùn)行過(guò)程中,微小漏電現(xiàn)象較為常見(jiàn),且在特定條件下,這些微弱的漏電可能會(huì)被放大,導(dǎo)致芯片乃至整個(gè)控制系統(tǒng)的失效。因此,芯片微漏電現(xiàn)象在集成電路失效分析中占據(jù)著至關(guān)重要的地位。此外,考慮到大多數(shù)集成電路的工作電壓范圍在3.3V至20V之間,工作電流即便是微安或毫安級(jí)別的漏電流也足以表明芯片已經(jīng)出現(xiàn)失效。因此,準(zhǔn)確判斷漏流位置對(duì)于確定芯片失效的根本原因至關(guān)重要。
漏電是芯片另一種常見(jiàn)的失效模式,其誘因復(fù)雜多樣,既可能源于晶體管長(zhǎng)期工作后的老化衰減,也可能由氧化層存在裂紋等缺陷引發(fā)。
與短路類(lèi)似,芯片內(nèi)部發(fā)生漏電時(shí),漏電路徑中會(huì)伴隨微弱的光發(fā)射現(xiàn)象——這種光信號(hào)的強(qiáng)度往往遠(yuǎn)低于短路產(chǎn)生的光輻射,對(duì)檢測(cè)設(shè)備的靈敏度提出了極高要求。EMMI憑借其的微光探測(cè)能力,能夠捕捉到漏電產(chǎn)生的極微弱光信號(hào)。通過(guò)對(duì)芯片進(jìn)行全域掃描,可將漏電區(qū)域以可視化圖像的形式清晰呈現(xiàn),使工程師能直觀(guān)識(shí)別漏電位置與分布特征。
支持自定義檢測(cè)參數(shù),測(cè)試人員可根據(jù)特殊樣品特性調(diào)整設(shè)置,獲得較為準(zhǔn)確的檢測(cè)結(jié)果。
在半導(dǎo)體芯片的精密檢測(cè)領(lǐng)域,微光顯微鏡與熱紅外顯微鏡如同兩把功能各異的 “利劍”,各自憑借獨(dú)特的技術(shù)原理與應(yīng)用優(yōu)勢(shì),在芯片質(zhì)量管控與失效分析中發(fā)揮著不可替代的作用。二者雖同服務(wù)于芯片檢測(cè),但在邏輯與適用場(chǎng)景上的差異,使其成為互補(bǔ)而非替代的檢測(cè)組合。從技術(shù)原理來(lái)看,兩者的 “探測(cè)語(yǔ)言” 截然不同。
微光顯微鏡是 “光子的捕捉者”,其重心在于高靈敏度的光子傳感器,能夠捕捉芯片內(nèi)部因電性能異常釋放的微弱光信號(hào) —— 這些信號(hào)可能來(lái)自 PN 結(jié)漏電時(shí)的電子躍遷,或是柵氧擊穿瞬間的能量釋放,波長(zhǎng)多集中在可見(jiàn)光至近紅外范圍。
為提升微光顯微鏡探測(cè)力,我司多種光學(xué)物鏡可選,用戶(hù)可依樣品工藝與結(jié)構(gòu)選裝,滿(mǎn)足不同微光探測(cè)需求。國(guó)產(chǎn)微光顯微鏡售價(jià)
微光顯微鏡的自動(dòng)瑕疵分類(lèi)系統(tǒng),可依據(jù)發(fā)光的強(qiáng)度、形狀等特征進(jìn)行歸類(lèi),提高檢測(cè)報(bào)告的生成效率。IC微光顯微鏡廠(chǎng)家
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