檢測用微光顯微鏡

來源: 發(fā)布時間:2025-07-22

芯片制造工藝復雜精密,從設計到量產的每一個環(huán)節(jié)都可能潛藏缺陷,而失效分析作為測試流程的重要一環(huán),是攔截不合格產品、追溯問題根源的 “守門人”。微光顯微鏡憑借其高靈敏度的光子探測技術,能夠捕捉到芯片內部因漏電、熱失控等故障產生的微弱發(fā)光信號,定位微米級甚至納米級的缺陷。這種檢測能力,能幫助企業(yè)快速鎖定問題所在 —— 無論是設計環(huán)節(jié)的邏輯漏洞,還是制造過程中的材料雜質、工藝偏差,都能被及時發(fā)現(xiàn)。這意味著企業(yè)可以針對性地優(yōu)化生產工藝、改進設計方案,從而提升芯片良率。在當前芯片制造成本居高不下的背景下,良率的提升直接轉化為生產成本的降低,讓企業(yè)在價格競爭中占據(jù)更有利的位置。微光顯微鏡的快速預熱功能,可縮短設備啟動至正常工作的時間,提高檢測效率。檢測用微光顯微鏡

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半導體企業(yè)購入微光顯微鏡設備,是提升自身競爭力的關鍵舉措,原因在于芯片測試需要找到問題點 —— 失效分析。失效分析能定位芯片設計缺陷、制造瑕疵或可靠性問題,直接決定產品良率與市場口碑。微光顯微鏡憑借高靈敏度的光子探測能力,可捕捉芯片內部微弱發(fā)光信號,高效識別漏電、熱失控等隱性故障,為優(yōu)化生產工藝、提升芯片性能提供關鍵數(shù)據(jù)支撐。在激烈的市場競爭中,快速完成失效分析意味著縮短研發(fā)周期、降低返工成本,同時通過提升產品可靠性鞏固客戶信任,這正是半導體企業(yè)在技術迭代與市場爭奪中保持優(yōu)勢的邏輯。檢測用微光顯微鏡微光顯微鏡分析 3D 封裝器件光子,結合光學原理和算法可預估失效點深度,為失效分析和修復提供參考。

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同時,微光顯微鏡(EMMI)帶來的高效失效分析能力,能大幅縮短研發(fā)周期。在新產品研發(fā)階段,快速發(fā)現(xiàn)并解決失效問題,可避免研發(fā)過程中的反復試錯,加快產品從實驗室走向市場的速度。當市場需求瞬息萬變時,更快的研發(fā)響應速度意味著企業(yè)能搶先推出符合市場需求的產品,搶占市場先機。例如,在當下市場 5G 芯片、AI 芯片等領域,技術迭代速度極快,誰能更早解決研發(fā)中的失效難題,誰就能在技術競爭中爭先一步,建立起差異化的競爭優(yōu)勢。

隨著器件尺寸的逐漸變小,MOS器件的溝道長度也逐漸變短。短溝道效應也愈發(fā)嚴重。短溝道效應會使得MOS管的漏結存在一個強電場,該電場會對載流子進行加速,同時賦予載流子一個動能,該載流子會造成中性的Si原子被極化,產生同樣帶有能量的電子與空穴對,這種電子與空穴被稱為熱載流子,反映在能帶圖中就是電位更高的電子和電位更低的空穴。一部分熱載流子會在生成后立馬復合,產生波長更短的熒光,另一部分在電場的作用下分離。電子進入柵氧層,影響閾值電壓,空穴進入襯底,產生襯底電流。歸因于短溝道效應能在MOS管的漏端能看到亮點,同樣在反偏PN結處也能產生強場,也能觀察到亮點。其低噪聲電纜連接設計,減少信號傳輸過程中的損耗,確保微弱光子信號完整傳遞至探測器。

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光束誘導電阻變化(OBIRCH)功能與微光顯微鏡(EMMI)技術常被集成于同一檢測系統(tǒng),合稱為光發(fā)射顯微鏡(PEM,PhotoEmissionMicroscope)。


二者在原理與應用上形成巧妙互補,能夠協(xié)同應對集成電路中絕大多數(shù)失效模式,大幅提升失效分析的全面性與效率。OBIRCH技術的獨特優(yōu)勢在于,即便失效點被金屬層覆蓋形成“熱點”,其仍能通過光束照射引發(fā)的電阻變化特性實現(xiàn)精細檢測——這恰好彌補了EMMI在金屬遮擋區(qū)域光信號捕捉受限的不足。


當二極管處于正向偏置或反向擊穿狀態(tài)時,會有強烈的光子發(fā)射,形成明顯亮點。廠家微光顯微鏡批量定制

介電層漏電時,微光顯微鏡可檢測其光子定位位置,保障電子器件絕緣結構可靠,防止電路故障。檢測用微光顯微鏡

EMMI的本質只是一臺光譜范圍廣,光子靈敏度高的顯微鏡。

但是為什么EMMI能夠應用于IC的失效分析呢?

原因就在于集成電路在通電后會出現(xiàn)三種情況:1.載流子復合;2.熱載流子;3.絕緣層漏電。當這三種情況發(fā)生時集成電路上就會產生微弱的熒光,這時EMMI就能捕獲這些微弱熒光,這就給了EMMI一個應用的機會而在IC的失效分析中,我們給予失效點一個偏壓產生熒光,然后EMMI捕獲電流中產生的微弱熒光。原理上,不管IC是否存在缺陷,只要滿足其機理在EMMI下都能觀測到熒光 檢測用微光顯微鏡