國產砂輪聯(lián)系方式

優(yōu)普納的多孔砂輪顯微組織調控技術，通過優(yōu)化砂輪內部孔隙率與分布，大幅提升冷卻液滲透效率，解決傳統(tǒng)砂輪因散熱不足導致的晶圓微裂紋問題。在東京精密HRG200X設備上，6吋SiC晶圓粗磨時，砂輪磨耗比只15%，且加工過程中溫升降低40%，表面粗糙度穩(wěn)定在Ra≤30nm。該技術不只延長砂輪壽命20%，還可適配高轉速磨床，助力客戶實現(xiàn)高效、低成本的批量生產。江蘇優(yōu)普納科技有限公司專業(yè)生產砂輪，品質有保證，歡迎您的隨時致電咨詢，為您提供滿意的產品以及方案。碳化硅晶圓減薄砂輪，專研強度高的微晶增韌陶瓷結合劑。國產砂輪聯(lián)系方式

優(yōu)普納砂輪以國產價格提供進口品質，單次加工成本降低40%。例如，進口砂輪精磨8吋SiC晶圓磨耗比通常超過250%，而優(yōu)普納產品只需200%，且Ra≤3nm的精度完全滿足5G、新能源汽車芯片制造需求?？蛻舴答侊@示，國產替代后設備停機更換頻率減少50%，年維護成本節(jié)省超百萬元。針對不同設備（如DISCO-DFG8640、東京精密HRG200X），優(yōu)普納提供基體優(yōu)化設計砂輪，增強冷卻液流動性，減少振動。支持定制2000#至30000#磨料粒度，適配粗磨、半精磨、精磨全工藝。案例中，6吋SiC晶圓使用30000#砂輪精磨后TTV≤2μm，表面質量達國際先進水平。晶片磨削砂輪評測在8吋SiC線割片的粗磨加工中，優(yōu)普納砂輪于DISCO-DFG8640減薄機上達到磨耗比30%，Ra≤30nm，TTV≤3μm。

江蘇優(yōu)普納科技有限公司的碳化硅減薄砂輪，采用自主研發(fā)的強度高微晶增韌陶瓷結合劑及多孔砂輪顯微組織調控技術，打破國外技術壟斷，實現(xiàn)國產化替代。相比進口砂輪，產品磨耗比降低至15%-35%（粗磨）及100%-300%（精磨），表面粗糙度Ra≤3nm，TTV精度達2μm以內，適配東京精密、DISCO等國際主流設備。例如，在8吋SiC線割片加工中，砂輪磨耗比只為30%（粗磨）和200%（精磨），效率提升20%以上，明顯降低客戶綜合成本。歡迎您的隨時咨詢~

在半導體加工領域，精度和效率是關鍵。江蘇優(yōu)普納科技有限公司的碳化硅晶圓減薄砂輪，通過其**超細金剛石磨粒**和**超高自銳性**，實現(xiàn)了高磨削效率和低損傷的完美平衡。在東京精密-HRG200X減薄機的實際應用中，6吋和8吋SiC線割片的加工結果顯示，表面粗糙度Ra值和總厚度變化TTV均達到了行業(yè)先進水平。這種高精度的加工能力，不只滿足了半導體制造的需求，還為客戶節(jié)省了大量時間和成本，助力優(yōu)普納在國產碳化硅減薄砂輪市場中占據(jù)重要地位。優(yōu)普納碳化硅晶圓減薄砂輪，以高精度、低損耗和強適配性，成為推動國產半導體產業(yè)技術升級的重要力量。

針對不同磨床特性，優(yōu)普納提供基體優(yōu)化設計服務，通過調整砂輪結構（如孔徑、厚度、溝槽）增強與設備的匹配度。例如，為適配DISCO-DFG8640高速減薄機，優(yōu)普納開發(fā)了增強型冷卻流道砂輪，使8吋SiC晶圓加工效率提升25%，磨耗比控制在30%以內。客戶可根據(jù)自身設備型號、晶圓尺寸（4吋/6吋/8吋）及工藝階段（粗磨/精磨）靈活選擇砂輪方案，實現(xiàn)“一機一策”的精確適配。江蘇優(yōu)普納科技有限公司專業(yè)生產砂輪，品質有保證，歡迎您的隨時致電咨詢，為您提供滿意的產品以及方案。優(yōu)普納碳化硅晶圓減薄砂輪，以技術創(chuàng)新為主，不斷突破性能瓶頸，為國產半導體材料加工提供有力支持。SiC砂輪性能

在6吋SiC線割片的精磨加工中，優(yōu)普納砂輪于DISCO-DFG8640減薄機上實現(xiàn)磨耗比100%，Ra≤3nm，TTV≤2μm。國產砂輪聯(lián)系方式

襯底粗磨減薄砂輪是半導體制造中的關鍵工具，尤其在晶圓襯底減薄工藝中發(fā)揮著不可替代的作用。隨著新能源汽車、軌道交通、消費電子等行業(yè)的快速發(fā)展，市場對于芯片和功率器件的性能要求越來越高，這直接推動了襯底粗磨減薄砂輪技術的不斷進步。在江蘇優(yōu)普納科技有限公司，我們專注于研發(fā)和生產品質高的襯底粗磨減薄砂輪，以滿足客戶日益增長的需求。我們的砂輪采用先進的金剛石磨料和品質高結合劑，確保在粗磨過程中具有出色的磨削效率和穩(wěn)定性，同時能更大限度地減少晶圓表面的損傷，提高芯片良率。國產砂輪聯(lián)系方式