上海優(yōu)勢(shì)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

表1 IGBT門極驅(qū)動(dòng)條件與器件特性的關(guān)系由于IGBT的開(kāi)關(guān)特性和安全工作區(qū)隨著柵極驅(qū)動(dòng)電路的變化而變化，因而驅(qū)動(dòng)電路性能的好壞將直接影響IGBT能否正常工作。為使IGBT能可靠工作。IGBT對(duì)其驅(qū)動(dòng)電路提出了以下要求。1)向IGBT提供適當(dāng)?shù)恼驏艍?。并且在IGBT導(dǎo)通后。柵極驅(qū)動(dòng)電路提供給IGBT的驅(qū)動(dòng)電壓和電流要有足夠的幅度，使IGBT的功率輸出級(jí)總處于飽和狀態(tài)。瞬時(shí)過(guò)載時(shí)，柵極驅(qū)動(dòng)電路提供的驅(qū)動(dòng)功率要足以保證IGBT不退出飽和區(qū)。IGBT導(dǎo)通后的管壓降與所加?xùn)旁措妷河嘘P(guān)，在漏源電流一定的情況下，VGE越高，VDS值就越低，器件的導(dǎo)通損耗就越小，這有利于充分發(fā)揮管子的工作能力。但是， VGE并非越高越好，一般不允許超過(guò)20 V，原因是一旦發(fā)生過(guò)流或短路，柵壓越高，則電流幅值越高，IGBT損壞的可能性就越大。通常，綜合考慮取+15 V為宜。驅(qū)動(dòng)集成芯片：在數(shù)字電源中應(yīng)用，許多驅(qū)動(dòng)芯片自帶保護(hù)和隔離功能。上海優(yōu)勢(shì)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

調(diào)光原理市面上大多數(shù)可控硅調(diào)光器基本結(jié)構(gòu)如圖1所示，其工作原理如下：當(dāng)交流電壓加雙向可控硅TRIAC兩端時(shí)，由于Rt、Ct組成的RC充電電路有一個(gè)充電時(shí)間，電容上的電壓是從0V開(kāi)始充電的，并且TRIAC的驅(qū)動(dòng)極串聯(lián)有一個(gè)DIAC(雙向觸發(fā)二極管，一般是30V左右)，因此TRIAC可靠截止。當(dāng)Ct上的電壓上升到30V時(shí)，DIAC觸發(fā)導(dǎo)通，TRIAC可靠導(dǎo)通，此時(shí)TRIAC兩端的電壓瞬間變?yōu)榱?，Ct通過(guò)Rt迅速放電，當(dāng)Ct電壓跌落到30V以下時(shí)，DIAC截止，如果TRIAC通過(guò)的電流大于其維持電流則繼續(xù)導(dǎo)通，如果低于其維持電流將會(huì)截止。電感L和電容C的作用是減小電流和電壓的變化率，以抑制電磁干擾EMI問(wèn)題。奉賢區(qū)國(guó)產(chǎn)驅(qū)動(dòng)電路售價(jià)物理意義：指推動(dòng)或驅(qū)使某物運(yùn)動(dòng)的力量或機(jī)制。例如，汽車的發(fā)動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)汽車前進(jìn)。

光耦的特點(diǎn)光耦基本電路1. 參數(shù)設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單2. 輸出端需要隔離驅(qū)動(dòng)電源3. 驅(qū)動(dòng)功率有限磁耦合-變壓器隔離受高頻調(diào)制的單向脈沖變壓器隔離電路磁耦合：用于傳送較低頻信號(hào)時(shí)—調(diào)制/解調(diào)磁耦合的特點(diǎn):1.既可傳遞信號(hào)又可傳遞功率2.頻率越高,體積越小-適合高頻應(yīng)用比較好驅(qū)動(dòng)特性和驅(qū)動(dòng)電流波形比較好驅(qū)動(dòng)1.開(kāi)通時(shí)： 基極電流有快速上升沿和過(guò)沖—加速開(kāi)通，減小開(kāi)通損耗；2.導(dǎo)通期間：足夠的基極電流，使晶體管任意負(fù)載飽和導(dǎo)通—低導(dǎo)通損耗；關(guān)斷前調(diào)整基極電流，使晶體管處于臨界飽和導(dǎo)通—減小 ， 關(guān)斷快;

門極驅(qū)動(dòng)功率 PG = E · fSW = QG · [ VG(on) - VG(off) ] · fSW驅(qū)動(dòng)器總功率 P = PG + PS（驅(qū)動(dòng)器的功耗）平均輸出電流 IoutAV = PG / ΔUGE = QG · fSW比較高開(kāi)關(guān)頻率 fSW max. = IoutAV(mA) / QG(μC)峰值電流IG MAX = ΔUGE / RG min = [ VG(on) - VG(off) ] / RG min其中的 RG min = RG extern + RG internfsw max. : 比較高開(kāi)關(guān)頻率IoutAV :單路的平均電流QG : 門極電壓差時(shí)的 IGBT門極總電荷RG extern : IGBT 外部的門極電阻RG intern : IGBT 芯片內(nèi)部的門極電阻但是實(shí)際上在很多情況下，數(shù)據(jù)手冊(cè)中這個(gè)門極電荷參數(shù)沒(méi)有給出，門極電壓在上升過(guò)程中的充電過(guò)程也沒(méi)有描述。這時(shí)候比較好是按照 IEC 60747-9-2001 - Semiconductor devices -MOSFET驅(qū)動(dòng)：MOSFET常用于中小功率數(shù)字電源，其驅(qū)動(dòng)電壓范圍一般在-10~20V之間。

?IGBT驅(qū)動(dòng)電路是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率的半導(dǎo)體器件IGBT驅(qū)動(dòng)電路是驅(qū)動(dòng)IGBT模塊以能讓其正常工作，并同時(shí)對(duì)其進(jìn)行保護(hù)的電路。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。圖1圖1所示為一個(gè)N 溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N+ 區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。N+ 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。這些開(kāi)關(guān)器件的開(kāi)通和關(guān)斷狀態(tài)決定了主電路中的電流流向和大小，從而實(shí)現(xiàn)了對(duì)電子設(shè)備的精確控制。上海優(yōu)勢(shì)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

它是電子設(shè)備和系統(tǒng)中至關(guān)重要的組成部分，廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、通信設(shè)備、電視、汽車、機(jī)器人等領(lǐng)域。上海優(yōu)勢(shì)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

3、調(diào)節(jié)功率開(kāi)關(guān)器件的通斷速度柵極電阻小，開(kāi)關(guān)器件通斷快，開(kāi)關(guān)損耗小；反之則慢，同時(shí)開(kāi)關(guān)損耗大。但驅(qū)動(dòng)速度過(guò)快將使開(kāi)關(guān)器件的電壓和電流變化率**提高，從而產(chǎn)生較大的干擾，嚴(yán)重的將使整個(gè)裝置無(wú)法工作，因此必須統(tǒng)籌兼顧。二、柵極電阻的選取1、柵極電阻阻值的確定各種不同的考慮下，柵極電阻的選取會(huì)有很大的差異。初試可如下選取：不同品牌的IGBT模塊可能有各自的特定要求，可在其參數(shù)手冊(cè)的推薦值附近調(diào)試。2、柵極電阻功率的確定柵極電阻的功率由IGBT柵極驅(qū)動(dòng)的功率決定，一般來(lái)說(shuō)柵極電阻的總功率應(yīng)至少是柵極驅(qū)動(dòng)功率的2倍。上海優(yōu)勢(shì)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

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