清遠(yuǎn)正規(guī)晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂工廠(chǎng)

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-06-30

可用于300mm半導(dǎo)體晶圓搬送的5軸水平多關(guān)節(jié)潔凈機(jī)械手臂GTCR5000系列。

單臂雙手指結(jié)構(gòu)能夠?qū)崿F(xiàn)和雙臂結(jié)構(gòu)同樣的功能。

適用于300mm半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備內(nèi)部,檢測(cè)設(shè)備等的晶圓搬運(yùn)。

機(jī)械手臂標(biāo)準(zhǔn)臂長(zhǎng): 210mm, 280mm機(jī)械手臂可以單獨(dú)對(duì)應(yīng)2個(gè)FOUP(210mm臂長(zhǎng))

或者3個(gè)FOUP(280mm臂長(zhǎng))雙手指結(jié)構(gòu)能夠縮短更換晶圓時(shí)的手臂動(dòng)作時(shí)間適應(yīng)設(shè)備需求可以選擇底座固定方式,或者法蘭固定方式配備動(dòng)作監(jiān)視器控制通訊方式:RS232C及并口I/O方式全軸采用絕對(duì)值編碼器規(guī)格的AC伺服電機(jī)通過(guò)S曲線(xiàn)加減速控制方式以及對(duì)運(yùn)動(dòng)軌跡的優(yōu)化

能夠高速,高精度地搬運(yùn)半導(dǎo)體晶圓晶圓固定方式:真空吸附式,下托式,邊緣夾持式,伯努利非接觸式手指材質(zhì):CFRP(碳纖維),鋁合金,高純度陶瓷等多種可選材質(zhì) 晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂采用先進(jìn)的吸附技術(shù),可穩(wěn)定地吸附晶圓。清遠(yuǎn)正規(guī)晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂工廠(chǎng)

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沖床行業(yè)機(jī)械臂又名沖床行業(yè)機(jī)械手、沖床沖壓機(jī)械手,它是用于沖床行業(yè)專(zhuān)門(mén)用的機(jī)械臂,沖床沖壓機(jī)械手能按照預(yù)選程序自動(dòng)完成幾個(gè)規(guī)定的動(dòng)作,實(shí)現(xiàn)物體的自動(dòng)夾取和運(yùn)送。在沖壓生產(chǎn)中,它不僅用于一臺(tái)壓力機(jī)上完成上下料工作,實(shí)現(xiàn)單機(jī)自動(dòng)化,也可以用在由若干臺(tái)壓力機(jī)組成的流水生產(chǎn)線(xiàn)上,實(shí)現(xiàn)各壓力機(jī)之間工件的自動(dòng)傳遞,形成自動(dòng)沖壓生產(chǎn)線(xiàn)。由于機(jī)械手能方便地改變工作程序,因而在經(jīng)常變換產(chǎn)品品種的中小件沖壓生產(chǎn)中,對(duì)于實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)自動(dòng)化更具有重要意義。沖床沖壓機(jī)械手由執(zhí)行機(jī)構(gòu)、驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)和電氣控制系統(tǒng)等組成。 河源官方晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂企業(yè)一般機(jī)構(gòu)可由電力、液壓、氣動(dòng)、人力驅(qū)動(dòng)。

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半導(dǎo)體行業(yè),尤其是集成電路領(lǐng)域,晶圓的身影隨處可見(jiàn)。

晶圓就是一塊薄薄的、圓形的高純硅晶片,而在這種高純硅晶片上可以加工制作出各種電路元件結(jié)構(gòu),使之成為有特定電性功能的集成電路產(chǎn)品。

眼前這密密麻麻的元器件,被整整齊齊的安放在一塊單晶硅材料之上,都是規(guī)規(guī)矩矩、方方正正的??梢?jiàn),晶圓在實(shí)際應(yīng)用之中還是要被切割成方形的。

所以疑問(wèn)?來(lái)了——硅片為什么要做成圓的?為什么是“晶圓”,而不做成“晶方”?

要解釋這個(gè)問(wèn)題,有兩方面的原因:一方面似乎是由“基因決定的”;另一方面是“環(huán)境造成的”。

年來(lái)全球硅晶圓供給不足,導(dǎo)致8英寸、12英寸硅晶圓訂單能見(jiàn)度分別已達(dá)2019上半年和年底。目前國(guó)內(nèi)多個(gè)硅晶圓項(xiàng)目已經(jīng)開(kāi)始籌備,期望有朝一日能夠打破進(jìn)口依賴(lài),并有足夠的能力滿(mǎn)足市場(chǎng)需求。硅在自然界中以硅酸鹽或二氧化硅的形式***存在于巖石、砂礫中,硅晶圓的制造可以歸納為三個(gè)基本步驟:硅提煉及提純、單晶硅生長(zhǎng)、晶圓成型。一,晶柱制造步驟硅提純:將沙石原料放入一個(gè)溫度約為2000℃,并且有碳源存在的電弧熔爐中,在高溫下,碳和沙石中的二氧化硅進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)(碳氧結(jié)合,得硅),提純得純度約為98%的純硅,又稱(chēng)冶金級(jí)硅,這對(duì)微電子器件來(lái)說(shuō)依然不夠純,因?yàn)榘雽?dǎo)體材料的電學(xué)特性對(duì)雜質(zhì)的濃度相當(dāng)?shù)拿舾?,因而?duì)冶金級(jí)硅作進(jìn)一步提純:將粉碎的冶金級(jí)硅與氣態(tài)的氯化氫進(jìn)行氯化反應(yīng),生成液態(tài)的硅烷,然后通過(guò)蒸餾和化學(xué)還原工藝,得到了高純度的多晶硅,其純度達(dá)99%,成為電子級(jí)硅。精確地定位到三維(或二維)空間上的某一點(diǎn)進(jìn)行作業(yè)。

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晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂的應(yīng)用非常廣,主要包括以下幾個(gè)方面:晶圓生產(chǎn)線(xiàn):在晶圓生產(chǎn)線(xiàn)上,晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂被廣泛應(yīng)用于晶圓的裝載和卸載過(guò)程。它能夠?qū)⒕A從載體上吸附起來(lái),并將其準(zhǔn)確地運(yùn)送到目標(biāo)位置,以完成各種工序,如清洗、切割、涂覆等。晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂的高精度和穩(wěn)定性能,能夠確保晶圓在整個(gè)生產(chǎn)過(guò)程中的安全和穩(wěn)定運(yùn)輸。半導(dǎo)體封裝和測(cè)試:在半導(dǎo)體封裝和測(cè)試過(guò)程中,晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂被用于將封裝好的芯片從一個(gè)工序轉(zhuǎn)移到另一個(gè)工序。它能夠?qū)⑿酒瑴?zhǔn)確地吸附在機(jī)械臂上,并將其運(yùn)送到封裝或測(cè)試設(shè)備上,以完成后續(xù)的封裝和測(cè)試工作。此外,對(duì)于熱加工的機(jī)械手,還要考慮熱輻射,手臂要較長(zhǎng),以遠(yuǎn)離熱源,并須裝有冷卻裝置。清遠(yuǎn)正規(guī)晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂工廠(chǎng)

各支承、連接件的剛性也要有一定的要求,以保證能承受所需要的驅(qū)動(dòng)力。清遠(yuǎn)正規(guī)晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂工廠(chǎng)

    目前,直拉法是生長(zhǎng)晶圓**常用的方法了,除了直拉法之外,常用的方法還有區(qū)熔法。區(qū)熔法,簡(jiǎn)稱(chēng)Fz法。1939年,在貝爾實(shí)驗(yàn)室工作的W·G·Pfann較早萌生了“區(qū)域勻平”的念頭,后來(lái)在亨利·休勒、丹·多西等人的協(xié)助下,生長(zhǎng)出了高純度的鍺以及硅單晶,并獲得了**。這種方法是利用熱能在半導(dǎo)體多晶棒料的一端產(chǎn)生一熔區(qū),使其重結(jié)晶為單晶。使熔區(qū)沿一定方向緩慢地向棒的另一端移動(dòng),進(jìn)而通過(guò)整根棒料,使多晶棒料生長(zhǎng)成一根單晶棒料,區(qū)熔法也需要籽晶,且**終得到的柱狀單晶錠晶向與籽晶的相同。 清遠(yuǎn)正規(guī)晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂工廠(chǎng)

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