四川桌面無(wú)掩模光刻機(jī)MAX基材尺寸4英寸到6英寸

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-07-20

Polos-BESM XL Mk2專(zhuān)為6英寸晶圓設(shè)計(jì),寫(xiě)入?yún)^(qū)域達(dá)155×155 mm,平臺(tái)雙向重復(fù)性精度0.1 μm,滿足工業(yè)級(jí)需求。其搭載20x/0.75 NA尼康物鏡和120 FPS高清攝像頭,支持實(shí)時(shí)觀測(cè)與多層對(duì)準(zhǔn)。配套的BEAM Xplorer軟件簡(jiǎn)化了復(fù)雜圖案設(shè)計(jì)流程,內(nèi)置高性能筆記本電腦實(shí)現(xiàn)快速數(shù)據(jù)處理,成為微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)和光子晶體研究的理想工具。無(wú)掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級(jí)圖案化,無(wú)需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對(duì)于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒(méi)有任何妥協(xié)的情況下,將該技術(shù)帶到了桌面上,進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢(shì)。高頻元件驗(yàn)證:成功開(kāi)發(fā)射頻器件與IDC電容器,加速國(guó)產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)鏈突破。四川桌面無(wú)掩模光刻機(jī)MAX基材尺寸4英寸到6英寸

四川桌面無(wú)掩模光刻機(jī)MAX基材尺寸4英寸到6英寸,光刻機(jī)

某生物物理實(shí)驗(yàn)室利用 Polos 光刻機(jī)開(kāi)發(fā)了基于壓阻效應(yīng)的細(xì)胞力傳感器。其激光直寫(xiě)技術(shù)在硅基底上制造出 5μm 厚的懸臂梁結(jié)構(gòu),傳感器的力分辨率達(dá) 10pN,較傳統(tǒng) AFM 提升 10 倍。通過(guò)在懸臂梁表面刻制 100nm 的微柱陣列,實(shí)現(xiàn)了單個(gè)心肌細(xì)胞收縮力的實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè),力信號(hào)信噪比提升 60%。該傳感器被用于心臟纖維化機(jī)制研究,成功捕捉到心肌細(xì)胞在病理狀態(tài)下的力學(xué)變化,相關(guān)數(shù)據(jù)為心肌修復(fù)藥物開(kāi)發(fā)提供了關(guān)鍵依據(jù)。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件,開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。廣東德國(guó)PSP-POLOS光刻機(jī)分辨率1.5微米用戶案例broad:全球超500家科研機(jī)構(gòu)采用,覆蓋高校、研究所與企業(yè)實(shí)驗(yàn)室。

四川桌面無(wú)掩模光刻機(jī)MAX基材尺寸4英寸到6英寸,光刻機(jī)

某集成電路實(shí)驗(yàn)室利用 Polos 光刻機(jī)開(kāi)發(fā)了基于相變材料的存算一體芯片。其激光直寫(xiě)技術(shù)在二氧化硅基底上實(shí)現(xiàn)了 100nm 間距的電極陣列,器件的讀寫(xiě)速度達(dá) 10ns,較傳統(tǒng) SRAM 提升 100 倍。通過(guò)在電極間集成 20nm 厚的 Ge2Sb2Te5 相變材料,芯片實(shí)現(xiàn)了計(jì)算與存儲(chǔ)的原位融合,能效比達(dá) 1TOPS/W,較傳統(tǒng)馮?諾依曼架構(gòu)提升 1000 倍。該技術(shù)被用于邊緣計(jì)算設(shè)備,使圖像識(shí)別延遲從 50ms 縮短至 5ms,相關(guān)芯片已進(jìn)入小批量試產(chǎn)階段。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件,開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。

在tumor轉(zhuǎn)移機(jī)制研究中,某tumor研究中心利用 Polos 光刻機(jī)構(gòu)建了仿生tumor微環(huán)境芯片。通過(guò)無(wú)掩模激光光刻技術(shù),在 PDMS 基底上制造出三維tumor血管網(wǎng)絡(luò)與間質(zhì)纖維化結(jié)構(gòu),其中血管直徑可精確控制在 10-50μm。實(shí)驗(yàn)顯示,該芯片模擬的tumor微環(huán)境中,tumor細(xì)胞遷移速度較傳統(tǒng)二維培養(yǎng)提升 2.3 倍,且化療藥物滲透效率降低 40%,與臨床數(shù)據(jù)高度吻合。該團(tuán)隊(duì)通過(guò)軟件實(shí)時(shí)調(diào)整通道曲率和細(xì)胞外基質(zhì)密度,成功復(fù)現(xiàn)了tumor細(xì)胞上皮 - 間質(zhì)轉(zhuǎn)化(EMT)過(guò)程,相關(guān)成果發(fā)表于《Cancer Research》,并被用于新型抗轉(zhuǎn)移藥物的篩選平臺(tái)開(kāi)發(fā)。Polos-μPrinter 入選《半導(dǎo)體技術(shù)》年度創(chuàng)新產(chǎn)品,推動(dòng)無(wú)掩模光刻技術(shù)普及。

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無(wú)掩模激光光刻:科研效率的revolution性提升!Polos-BESM系列采用無(wú)掩模激光直寫(xiě)技術(shù),用戶可通過(guò)軟件直接輸入任意圖案,省去傳統(tǒng)光刻中掩膜制備的高昂成本與時(shí)間。其405 nm紫外光源和亞微米分辨率(most小線寬0.8 μm)支持5英寸晶圓的高精度加工,特別適合實(shí)驗(yàn)室快速原型開(kāi)發(fā)。閉環(huán)自動(dòng)對(duì)焦系統(tǒng)(1秒完成)和半自動(dòng)多層對(duì)準(zhǔn)功能,remarkable提升微流體芯片和MEMS器件的研發(fā)效率62。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件,開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。固態(tài)電池:鋰金屬界面阻抗降至 50Ω?cm2,電池循環(huán)壽命提升 3 倍。德國(guó)桌面無(wú)掩模光刻機(jī)

德國(guó)工藝:精密制造基因,10 年以上使用壽命,維護(hù)成本低,設(shè)備殘值率達(dá) 60%。四川桌面無(wú)掩模光刻機(jī)MAX基材尺寸4英寸到6英寸

針對(duì)碳化硅(SiC)功率模塊的柵極刻蝕難題,Polos 光刻機(jī)的激光直寫(xiě)技術(shù)實(shí)現(xiàn)了 20nm 的邊緣粗糙度控制,較傳統(tǒng)光刻膠工藝提升 5 倍。某新能源汽車(chē)芯片廠商利用該設(shè)備,將 SiC MOSFET 的導(dǎo)通電阻降低 15%,開(kāi)關(guān)損耗減少 20%,推動(dòng)車(chē)載逆變器效率突破 99%。其靈活的圖案編輯功能支持快速驗(yàn)證新型柵極結(jié)構(gòu),使器件研發(fā)周期從 12 周壓縮至 4 周,助力我國(guó)在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)彎道超車(chē)。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件,開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。四川桌面無(wú)掩模光刻機(jī)MAX基材尺寸4英寸到6英寸