濟南3微米光刻膠感光膠

來源： 發(fā)布時間：2025-06-21

 上游原材料：

? 樹脂：彤程新材、鼎龍股份實現(xiàn)KrF/ArF光刻膠樹脂自主合成，金屬雜質(zhì)含量<5ppb（國際標準<10ppb）。

? 光引發(fā)劑：久日新材攻克EUV光刻膠原料光致產(chǎn)酸劑，累計形成噸級訂單；威邁芯材合肥基地建成100噸/年ArF/KrF光刻膠主材料產(chǎn)線。

? 溶劑：怡達股份電子級PM溶劑全球市占率超40%，與南大光電合作開發(fā)配套溶劑，技術指標達SEMI G5標準。

設備與驗證：

? 上海新陽與上海微電子聯(lián)合開發(fā)光刻機適配參數(shù)，驗證周期較國際廠商縮短6個月；徐州博康實現(xiàn)“單體-樹脂-成品膠”全鏈條國產(chǎn)化，適配ASML Twinscan NXT系列光刻機。

? 國內(nèi)企業(yè)通過18-24個月的晶圓廠驗證周期（如中芯國際、長江存儲），一旦導入不易被替代。
厚板光刻膠 JT-3001，抗深蝕刻，PCB 電路板制造Preferred！濟南3微米光刻膠感光膠

濟南3微米光刻膠感光膠,光刻膠

? 化學反應：

? 正性膠：曝光后光敏劑（如重氮醌DQN）分解，生成羧酸，在堿性顯影液中溶解；

? 負性膠：曝光后光敏劑引發(fā)交聯(lián)劑與樹脂形成不溶性網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。

5. 顯影（Development）

? 顯影液：

? 正性膠：堿性水溶液（如0.26N四甲基氫氧化銨TMAH），溶解曝光區(qū)域；

? 負性膠：有機溶劑（如二甲苯、醋酸丁酯），溶解未曝光區(qū)域。

? 方法：噴淋顯影（PCB）或沉浸式顯影（半導體），時間30秒-2分鐘，需控制顯影液濃度和溫度。

6. 后烘（Post-Bake）

? 目的：固化膠膜，提升耐蝕刻性和熱穩(wěn)定性。

? 條件：

? 溫度：100-150℃（半導體用正性膠可能更高，如180℃）；

? 時間：15-60分鐘（厚膠或高耐蝕需求時延長）。

7. 蝕刻/離子注入（后續(xù)工藝）

? 蝕刻：以膠膜為掩膜，通過濕法（酸堿溶液）或干法（等離子體）刻蝕基板材料（如硅、金屬、玻璃）；

? 離子注入：膠膜保護未曝光區(qū)域，使雜質(zhì)離子只能注入曝光區(qū)域（半導體摻雜工藝）。

8. 去膠（Strip）

? 方法：

? 濕法去膠：強氧化劑（如硫酸+雙氧水）或有機溶劑（如N-甲基吡咯烷酮NMP）；

? 干法去膠：氧等離子體灰化（半導體領域，無殘留）。

四川激光光刻膠供應商正性光刻膠生產(chǎn)廠家。

濟南3微米光刻膠感光膠,光刻膠

主要優(yōu)勢：細分領域技術突破與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同

 技術積累與自主化能力
公司擁有23年光刻膠研發(fā)經(jīng)驗，實現(xiàn)了從樹脂合成、光引發(fā)劑制備到配方優(yōu)化的全流程自主化。例如，其納米壓印光刻膠通過自主開發(fā)的樹脂體系，分辨率達3μm，適用于MEMS傳感器、光學器件等領域，填補了國內(nèi)空白。
技術壁壘：掌握光刻膠主要原材料（如樹脂、光酸）的合成技術，部分原材料純度達PPT級，金屬離子含量低于0.1ppb，良率超99%。

 產(chǎn)品多元化與技術化布局
產(chǎn)品線覆蓋芯片光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD光刻膠、半導體錫膏等，形成“光刻膠+配套材料”的完整體系。例如：

? LCD光刻膠：適配AMOLED、Micro LED等新型顯示技術，與京東方、TCL華星合作開發(fā)高分辨率產(chǎn)品，良率提升至98%。

? 半導體錫膏：供應華為、OPPO等企業(yè)，年采購量超200噸，用于5G手機主板封裝。
技術化延伸：計劃2025年啟動半導體用KrF光刻膠研發(fā)，目標進入中芯國際、長江存儲供應鏈。

 質(zhì)量控制與生產(chǎn)能力
通過ISO9001:2008質(zhì)量體系認證，生產(chǎn)環(huán)境執(zhí)行8S管理，原材料采用美、德、日進口高質(zhì)量材料。擁有全自動化生產(chǎn)線，年產(chǎn)能達2000噸（光刻膠及配套材料），支持大規(guī)模訂單交付。

廣東吉田半導體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品，各有特性與優(yōu)勢，適用于不同領域。

LCD 正性光刻膠 YK - 200：具有較大曝光、高分辨率、良好涂布和附著力的特點，重量 100g。適用于液晶顯示領域的光刻工藝，能確保 LCD 生產(chǎn)過程中圖形的精確轉(zhuǎn)移和良好的涂布效果。

半導體正性光刻膠 YK - 300：具備耐熱耐酸、耐溶劑性、絕緣阻抗和緊密性，重量 100g。主要用于半導體制造工藝，滿足半導體器件對光刻膠在化學穩(wěn)定性和電氣性能方面的要求。

耐腐蝕負性光刻膠 JT - NF100：重量 1L，具有耐腐蝕的特性，適用于在有腐蝕風險的光刻工藝中，比如一些特殊環(huán)境下的半導體加工或電路板制造。 納米級圖案化的主要工具。

濟南3微米光刻膠感光膠,光刻膠

  1. 正性光刻膠（如 YK-300）
    應用場景：用于芯片的精細圖案化，如集成電路（IC）、分立器件（二極管、三極管）的制造。
    特點：高分辨率（可達亞微米級），適用于多層光刻工藝，確保芯片電路的高精度與可靠性。
  2. 負性光刻膠（如 JT-1000）
    應用場景：用于功率半導體（如 MOSFET、IGBT）的制造，以及傳感器（如 MEMS）的微結(jié)構(gòu)成型。
    特點：抗蝕刻能力強，適合復雜圖形的轉(zhuǎn)移，尤其在深寬比要求較高的工藝中表現(xiàn)優(yōu)異。
  3. 納米壓印光刻膠（JT-2000）
    應用場景：第三代半導體（GaN、SiC）芯片、量子點器件及微流控芯片的制造。特點：耐高溫（250℃）、耐酸堿，支持納米級精度圖案復制，降低芯片的制造成本。
正性光刻膠的工藝和應用場景。云南網(wǎng)版光刻膠工廠

光刻膠解決方案找吉田，ISO 認證 + 8S 管理，良率達 98%！濟南3微米光刻膠感光膠

生產(chǎn)設備與工藝：從設計到制造的“木桶效應”

 前端設備的進口依賴
光刻膠生產(chǎn)所需的超臨界流體萃取設備、納米砂磨機等關鍵裝備被德國耐馳、日本光洋等企業(yè)壟斷。國內(nèi)企業(yè)如拓帕實業(yè)雖推出砂磨機產(chǎn)品，但在研磨精度（如納米級顆粒分散）上仍落后于國際水平。

 工藝集成的系統(tǒng)性短板
光刻膠生產(chǎn)涉及精密混合、過濾、包裝等環(huán)節(jié)，需全流程數(shù)字化控制。國內(nèi)企業(yè)因缺乏MES（制造執(zhí)行系統(tǒng)）等智能管理工具，導致批次一致性波動。例如，鼎龍股份潛江工廠的KrF光刻膠產(chǎn)線雖實現(xiàn)自動化，但工藝參數(shù)波動仍較日本同類產(chǎn)線高約10%。

濟南3微米光刻膠感光膠

標簽： 錫膏 錫片 光刻膠