濰坊雙向可控硅模塊生產(chǎn)廠家

只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時，負載RL上才有電壓UL輸出Ug到來得早，可控硅模塊導(dǎo)通的時間就早；Ug到來得晚，可控硅模塊導(dǎo)通的時間就晚。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時間，就可以調(diào)節(jié)負載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術(shù)中，常把交流電的半個周期定為180°，稱為電角度。

這樣，在U2的每個正半周，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α；在每個正半周內(nèi)可控硅模塊導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ。很明顯，α和θ都是用來表示可控硅模塊在承受正向電壓的半個周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或?qū)ń铅?，改變負載上脈沖直流電壓的平均值UL，實現(xiàn)了可控整流。 淄博正高電氣有限公司始終以適應(yīng)和促進發(fā)展為宗旨。濰坊雙向可控硅模塊生產(chǎn)廠家

過電壓會對可控硅模塊造成損壞，如果要想保護可控硅不受其損壞，就要了解過電壓的產(chǎn)生原因，從而去避免防止受損，下面正高電氣就來講講過電壓會對可控硅模塊造成怎樣的損壞？以及過電壓產(chǎn)生的原因。

可控硅模塊對過電壓非常敏感，當(dāng)正向電壓超過udrm值時，可控硅會誤導(dǎo)并導(dǎo)致電路故障；當(dāng)施加的反向電壓超過urrm值時，可控硅模塊會立即損壞。因此，需要研究過電壓產(chǎn)生的原因和過電壓的方法。

過電壓主要是由于供電電源或系統(tǒng)儲能的急劇變化，使系統(tǒng)轉(zhuǎn)換太晚，或是系統(tǒng)中原本積聚的電磁能量消散太晚。主要研究發(fā)現(xiàn)，由于外界沖擊引起的過電壓主要有兩種類型，如雷擊和開關(guān)開啟和關(guān)閉引起的沖擊電壓。雷擊或高壓斷路器動作產(chǎn)生的過電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰，對可控硅模塊非常危險。

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可控硅模塊采用陶瓷覆銅工藝，電流承載能力大，熱循環(huán)負載次數(shù)是國標(biāo)的進10倍，焊接工藝獨特，絕緣強度高，導(dǎo)熱性能好?？煽毓枘K的工作場所應(yīng)干燥、無腐蝕性氣體、通風(fēng)、無塵，環(huán)境溫度范圍-25℃--45℃，下面為大家介紹可控硅模塊的安裝步驟：  1、散熱器和風(fēng)機按通風(fēng)要求裝配于機箱合適位置。散熱器表面必須平整光潔。在模塊導(dǎo)熱底板與散熱器表面均勻涂覆一層導(dǎo)熱硅脂，然后用螺釘把模塊固定于散熱器上，四個螺釘用力要均等。

  2、用接線端頭環(huán)帶將銅線扎緊，浸錫，套上絕緣熱縮管，用熱風(fēng)或熱水加熱收縮，導(dǎo)線截面積按電流密度<4A/mm2選取，禁止將銅線直接壓接在可控硅模塊電極上。

  3、 將接線端頭平放于可控硅模塊電極上用螺釘緊固，保持良好的平面壓力接觸。

  4、可控硅模塊的電極易掀起折斷，接線時應(yīng)防止重力將電極拉起折斷。

可控硅模塊的應(yīng)用領(lǐng)域

該智能模塊應(yīng)用于控溫、調(diào)光、勵磁、電鍍、電解、充放電、電焊機、等離子拉弧、逆變電源等需對電力能量大小進行調(diào)整和變換的場合，如工業(yè)、通訊、軍工等各類電氣操控、電源等，依據(jù)還可經(jīng)過模塊的操控端口與多功用操控板聯(lián)接，結(jié)束穩(wěn)流、穩(wěn)壓、軟啟動等功用，并可結(jié)束過流、過壓、過溫、缺持平維護功用。

可控硅模塊的操控辦法

經(jīng)過輸入模塊操控接口一個可調(diào)的電壓或許電流信號，經(jīng)過調(diào)整該信號的大小即可對模塊的輸出電壓大小進行滑潤調(diào)度，結(jié)束模塊輸出電壓從0V至任一點或悉數(shù)導(dǎo)通的進程。

電壓或電流信號可取自各種操控外表、核算機D/A輸出，電位器直接從直流電源分壓等各種辦法；操控信號選用0～5V，0～10V，4～20mA三種對比常用的操控辦法。

可控硅模塊的分類：

1、以關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式來分類：可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門極關(guān)斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。

2、以引腳和極性來分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。

3、以封裝形式來分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。

4、以電流容量來分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三種。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。

5、以關(guān)斷速度來分類：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。

6、過零觸發(fā)，一般是調(diào)功，即當(dāng)正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發(fā)，必須是過零點才觸發(fā)，導(dǎo)通可控硅參數(shù)介紹

7、非過零觸發(fā)，無論交流電電壓在什么相位的時候都可觸發(fā)導(dǎo)通可控硅，常見的是移相觸發(fā)。

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相信大家對于可控硅模塊并不陌生了，現(xiàn)代在電氣行業(yè)的不斷發(fā)展，可控硅模塊的使用范圍越來越廣，但是你對可控硅模塊的了解有多少呢，它的主要參數(shù)有哪些你知道嗎？下面為大家講解。

可控硅模塊的主要參數(shù)有：

(1) 額定通態(tài)平均電流IT在一定條件下，陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。

(2) 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發(fā)信號，陽極正向電壓還未超過導(dǎo)能電壓時，可以重復(fù)加在可控硅模塊兩端的正向峰值電壓?？煽毓枘K承受的正向電壓峰值，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值。

(3) 反向陰斷峰值電壓VPR當(dāng)可控硅加反向電壓，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時，可以重復(fù)加在可控硅模塊兩端的反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值。 濰坊雙向可控硅模塊生產(chǎn)廠家

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