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漏源電壓Vds對MOSFET性能有何影響？

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深圳市芯技科技有限公司2025-06-24

導(dǎo)通損耗：VDS↑→RDS(on)↑（強(qiáng)電場致載流子遷移率↓），芯技超結(jié)MOS在600V時(shí)RDS(on)比平面結(jié)構(gòu)低50%

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簡介：深圳市芯技科技有限公司專注于保護(hù)器件、MOSFET和二三極管等產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子等多個(gè)領(lǐng)域。
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    深圳市芯技科技有限公司 2025-06-25

    開關(guān)特性：VDS>100V時(shí)米勒電容Cgd非線性加劇，芯技優(yōu)化電荷平衡技術(shù)降低Qgd 30%

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    深圳市芯技科技有限公司 2025-06-30

    雪崩能力：VDS接近BVDSS時(shí)EAS驟降，芯技Avalanche Rated系列BVDSS余量>20%

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深圳市芯技科技有限公司

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手   機(jī)： 18200846735

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