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來源: 發(fā)布時(shí)間:2025-07-12

如果IGBT數(shù)據(jù)表給出的Cies的條件為VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz,那么可以近似的認(rèn)為Cin=2.2Cies,門極電荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 2.2 = [ VG(on) - VG(off) ] · Cies · 2.2Cies : IGBT的輸入電容(Cies 可從IGBT 手冊中找到)如果IGBT數(shù)據(jù)手冊中已經(jīng)給出了正象限的門極電荷曲線,那么只用Cies 近似計(jì)算負(fù)象限的門極電荷會(huì)更接近實(shí)際值:門極電荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 4.5 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 4.5-- 適用于Cies 的測試條件為 VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGBT門極電荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 2.2 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 2.2根據(jù)具體的應(yīng)用場景和需求,還有推挽驅(qū)動(dòng)、隔離驅(qū)動(dòng)、加速關(guān)斷驅(qū)動(dòng)等多種設(shè)計(jì)方案。黃浦區(qū)挑選驅(qū)動(dòng)電路圖片

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可控硅前沿調(diào)光器若直接用于控制普通的LED驅(qū)動(dòng)器,LED燈會(huì)產(chǎn)生閃爍,更不能實(shí)現(xiàn)寬范圍的調(diào)光控制。原因歸結(jié)如下:(1)可控硅的維持電流問題。目前市面上的可控硅調(diào)光器功率等級不同,維持電流一般是7~75mA(驅(qū)動(dòng)電流則是7~100mA),導(dǎo)通后流過可控硅的電流必須要大于這個(gè)值才能繼續(xù)導(dǎo)通,否則會(huì)自行關(guān)斷。(2)阻抗匹配問題。當(dāng)可控硅導(dǎo)通后,可控硅和驅(qū)動(dòng)電路的阻抗都發(fā)生變化,且驅(qū)動(dòng)電路由于有差模濾波電容的存在,呈容性阻抗,與可控硅調(diào)光器存在阻抗匹配的問題,因此在設(shè)計(jì)電路時(shí)一般需要使用較小的差模濾波電容。長寧區(qū)推廣驅(qū)動(dòng)電路量大從優(yōu)個(gè)人的職業(yè)發(fā)展可能受到內(nèi)在驅(qū)動(dòng)(如興趣、目標(biāo))和外部驅(qū)動(dòng)(如薪水、晉升機(jī)會(huì))的影響。

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IGBT 的開關(guān)特性主要取決于IGBT的門極電荷及內(nèi)部和外部的電阻。圖1是IGBT 門極電容分布示意圖,其中CGE 是柵極-發(fā)射極電容、CCE 是集電極-發(fā)射極電容、CGC 是柵極-集電極電容或稱米勒電容(Miller Capacitor)。門極輸入電容Cies 由CGE 和CGC 來表示,它是計(jì)算IGBT 驅(qū)動(dòng)器電路所需輸出功率的關(guān)鍵參數(shù)。該電容幾乎不受溫度影響,但與IGBT集電極-發(fā)射極電壓VCE 的電壓有密切聯(lián)系。在IGBT數(shù)據(jù)手冊中給出的電容Cies 的值,在實(shí)際電路應(yīng)用中不是一個(gè)特別有用的參數(shù),因?yàn)樗峭ㄟ^電橋測得的,在測量電路中,加在集電極上C 的電壓一般只有25V(有些廠家為10V),在這種測量條件下,所測得的結(jié)電容要比VCE=600V 時(shí)要大一些(如圖2)。

實(shí)驗(yàn)及結(jié)果根據(jù)以上分析,本文設(shè)計(jì)一臺(tái)基于反激變換器的可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)器,控制芯片為NCP1607;輸入交流電壓220V,最大輸出功率為25W,比較大輸出電流為0.7A;以3串(每串10只0.8W的LED燈)相并聯(lián)作為負(fù)載;RC時(shí)間系數(shù)選擇0.5,增益為0.2。電路的實(shí)驗(yàn)波形和工作特性曲線如圖4所示。圖4a)、b)、c)為可控硅導(dǎo)通角為115°時(shí)阻抗匹配開關(guān)驅(qū)動(dòng)電壓VZ、輸入電流Iin、輸入電壓Vin的波形,電路的輸出電流為470mA,功率因數(shù)為0.78。從圖中可看出,當(dāng)可控硅導(dǎo)通瞬間,由于驅(qū)動(dòng)器輸入端有差模濾波電容導(dǎo)致輸入電流有沖擊電流尖峰,而當(dāng)輸入電流小于一定值時(shí),阻抗匹配開關(guān)開通以保證流過可控硅的電流大于其維持電流。IGBT驅(qū)動(dòng)電路分為正壓驅(qū)動(dòng)和負(fù)壓驅(qū)動(dòng),負(fù)壓關(guān)斷可以避免誤導(dǎo)通風(fēng)險(xiǎn),加快關(guān)斷速度,減小關(guān)斷損耗。

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(3)沖擊電流問題。由于可控硅前沿?cái)夭ㄊ沟幂斎腚妷嚎赡芤恢碧幱诜逯蹈浇?,輸入濾波電容將承受大的沖擊電流,同時(shí)還可能使得可控硅意外截止,導(dǎo)致可控硅不斷重啟,所以一般需要在驅(qū)動(dòng)器輸入端串接電阻來減小沖擊。(4)導(dǎo)通角較小時(shí)LED會(huì)出現(xiàn)閃爍。當(dāng)可控硅導(dǎo)通角較小時(shí),由于此時(shí)輸入電壓和電流均較小,導(dǎo)致維持電流不夠或者芯片供電Vcc不夠,電路停止工作,使LED產(chǎn)生閃爍。可控電源線性調(diào)光存在的問題,即人眼在低亮度情況下對光線的細(xì)微變化很敏感;而在較亮?xí)r,由于人眼視覺的飽和,光線較大的變化卻不易被察覺。并提出了利用單片機(jī)編程來實(shí)現(xiàn)調(diào)光信號(hào)和調(diào)光輸出的非線性關(guān)系(如指數(shù)、平方等關(guān)系)的方法,使得人眼感覺的調(diào)光是一個(gè)線性平穩(wěn)過程。負(fù)載特性:了解負(fù)載的電流、電壓和功率要求。黃浦區(qū)挑選驅(qū)動(dòng)電路圖片

顯示控制:驅(qū)動(dòng)電路可以將數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換為模擬信號(hào),以控制液晶顯示屏、LED顯示屏等顯示設(shè)備;黃浦區(qū)挑選驅(qū)動(dòng)電路圖片

多數(shù)顯卡、聲卡、網(wǎng)卡等內(nèi)置擴(kuò)展卡和打印機(jī)、掃描儀、外置Modem等外設(shè)都需要安裝與設(shè)備型號(hào)相符的驅(qū)動(dòng)程序,否則無法發(fā)揮其部分或全部功能。驅(qū)動(dòng)程序一般可通過三種途徑得到,一是購買的硬件附帶有驅(qū)動(dòng)程序;二是Windows系統(tǒng)自帶有大量驅(qū)動(dòng)程序;三是從Internet下載驅(qū)動(dòng)程序。***一種途徑往往能夠得到***的驅(qū)動(dòng)程序。供Windows 9x使用的驅(qū)動(dòng)程序包通常由一些.vxd(或.386)、.drv、.sys、.dll或.exe等文件組成,在安裝過程中,大部分文件都會(huì)被拷貝到“Windows\ System”目錄下。黃浦區(qū)挑選驅(qū)動(dòng)電路圖片

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